CSD17483F4T, MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997201
- Артикул
- CSD17483F4T
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17483F4
- Fall Time:
- 3.4 ns
- Rise Time:
- 1.3 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17483F4 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 1.3 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PICOSTAR |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.01 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.3nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.6 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.4 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 850 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 240mΩ@500mA, 8V |