CSD17318Q2T, MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997194
- Артикул
- CSD17318Q2T
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 68
- Серия
- CSD17318Q2
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 148,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 68 |
| Серия | CSD17318Q2 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | WSON-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Время нарастания | 16 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 16 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 42 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15.1mΩ@8A, 8V |