CSD17313Q2, Транзистор и сборки MOSFET WDFN6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041082092
- Артикул
- CSD17313Q2
- Бренд
- Texas Instruments
- PPAP
- No
- Brand:
- Texas Instruments
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- CSD17313Q2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Texas Instruments NexFET™ Серия силовыx МОП -транзисторов Texas Instruments N-Channel NexFET ™ отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора, что делает иx идеальными для применения в высокоэффективныx преобразователяx с высокочастотной коммутацией и синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП -транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Texas Instruments |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | CSD17313Q2 |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 1.3 ns |
| Lead Shape | No Lead |
| Rise Time: | 3.9 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package Width | 2 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Length | 2 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WSON-6 |
| Development Kit: | TMDSCSK388, TMDSCSK8127 |
| EDA / CAD Models | CSD17313Q2 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | WSON EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Power Dissipation | 2.3Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.1 nC |
| Process Technology | NexFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 1.3 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.9 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 17 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.1@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.8 |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 4.2 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 0.4 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 260@15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 30@8V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 8В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SON |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |