Моя заявка (0)
CSD17311Q5, Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034515547
Артикул
CSD17311Q5
Бренд
Texas Instruments
Тип
30V N-Channel NexFET Power MOSFET
Вес, г
1
Длина
6 mm
Серия
CSD17311Q5
Цена по запросу
(от 317 ₽)
Минимальный заказ: 240 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор

Технические параметры

Тип30V N-Channel NexFET Power MOSFET
Вес, г1
Длина6 mm
СерияCSD17311Q5
Высота1 mm
Ширина5 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада12 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTexas Instruments
Упаковка / блокVSON-Clip-8
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора24 nC
Время нарастания18 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.2 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеNexFET
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения33 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.200 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация