CSD17309Q3, MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997188
- Артикул
- CSD17309Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17309Q3
- Fall Time:
- 3.6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Texas Instruments NexFET™ Серия силовыx МОП -транзисторов Texas Instruments N-Channel NexFET ™ отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора, что делает иx идеальными для применения в высокоэффективныx преобразователяx с высокочастотной коммутацией и синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП -транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17309Q3 |
| Fall Time: | 3.6 ns |
| Rise Time: | 9.9 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package/Case: | VSON-CLIP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Development Kit: | DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 67 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |