CSD17307Q5A, МОП-Транзистор 30 В 14 А 10,5 мОм при 8 В, 11 А 3 Вт 1,8 В при 250мкА N-канальные МОП-Транзистор DFN-8(4,9x5,8)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600310
- Артикул
- CSD17307Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Width
- 5mm
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- NexFET
- Series:
- CSD17307Q5A
Цена по запросу
(от 91,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | NexFET |
| Series: | CSD17307Q5A |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2.6 ns |
| Rise Time: | 6.7 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | VSONP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.3 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 73 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 66 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 17.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10.5 мОм |