Моя заявка (0)
CSD16570Q5B, SON-8(5x6) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044792792
Артикул
CSD16570Q5B
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD16570Q5B
Fall Time:
72 ns
Rise Time:
43 ns
Цена по запросу
(от 278 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD16570Q5B
Fall Time:72 ns
Rise Time:43 ns
Tradename:NexFET
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
RoHS CompliantYes
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:192 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:195 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:156 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:278 S
Rds On - Drain-Source Resistance:590 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация