Моя заявка (0)
CSD16415Q5, VSON-8-CLIP MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066350511
Артикул
CSD16415Q5
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD16415Q5
Fall Time:
12.7 ns
Rise Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 317,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD16415Q5
Fall Time:12.7 ns
Rise Time:30 ns
Tradename:NexFET
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:21 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:3.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:16.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:168 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500