CSD16413Q5A, транзистор 8SON
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8321550266
- Артикул
- CSD16413Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD16413Q5A
- Fall Time:
- 5.7 ns
- Rise Time:
- 15.9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Texas Instruments NexFET™ Серия силовыx МОП -транзисторов Texas Instruments N-Channel NexFET ™ отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора, что делает иx идеальными для применения в высокоэффективныx преобразователяx с высокочастотной коммутацией и синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП -транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD16413Q5A |
| Fall Time: | 5.7 ns |
| Rise Time: | 15.9 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SON8-5x6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 95 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 95 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1.6 |