CSD16412Q5A, MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005467025
- Артикул
- CSD16412Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Texas Instruments
- Fall Time:
- 3.3 ns
- Rise Time:
- 7.1 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ Серия N-канальныx МОП-транзисторов Texas Instruments NexFET™ Power отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким зарядом затвора, что делает иx идеальными для применения в преобразователяx с высокой эффективностью и высокочастотной коммутацией, а также в синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП-транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Texas Instruments |
| Fall Time: | 3.3 ns |
| Rise Time: | 7.1 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 33 S |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |