CSD16409Q3 2017
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057657763
- Артикул
- CSD16409Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 3.3 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 58 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 3.3 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3.3 mm |
| Series | CSD16409Q3 |
| Fall Time | 3.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10.6 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | CSD16409Q3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-Clip-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 4 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.4 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2.6 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 6.3 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 38 S |
| Qg - заряд затвора | 4 nC |
| Время нарастания | 10.6 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.5 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Pd - рассеивание мощности | 2.6 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 6.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |