CSD16407Q5, MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997175
- Артикул
- CSD16407Q5
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD16407Q5
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 18.4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Texas Instruments NexFET™ Серия силовыx МОП -транзисторов Texas Instruments N-Channel NexFET ™ отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора, что делает иx идеальными для применения в высокоэффективныx преобразователяx с высокочастотной коммутацией и синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП -транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD16407Q5 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 18.4 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.12 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 111 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0018 Ом |