CSD16403Q5A, 25V 28A 3.1W 2.8mOhm@10V,20A 1.9V@250uA N Channel PDFN-8(5.2x6.2) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062288123
- Артикул
- CSD16403Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 5.75 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 5.75 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 4.9 mm |
| Series | CSD16403Q5A |
| Fall Time | 9.2 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 18.3 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.44 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | CSD16403Q5A |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-FET-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13.3 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9.2 ns |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11.8 ns |
| Температура, С | -55…+150 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15.2 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSONP-8 |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 91 S |
| Qg - заряд затвора | 13.3 nC |
| Время нарастания | 18.3 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 91 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 91 S |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3.1 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1.6 |