CSD16327Q3, VSON-CLIP-8(3.3x3.3) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017658716
- Артикул
- CSD16327Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD16327Q3
- Tradename:
- NexFET
- Вес, г
- 0.45
Цена по запросу
(от 106,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизкими добротностями и QD и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD16327Q3 |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.45 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC |
| T ;ROHS COMPLIANT | YESC ; C D C I |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |