CSD16325Q5, MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997166
- Артикул
- CSD16325Q5
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.12
- Длина
- 6 mm
- Серия
- CSD16325Q5
- Высота
- 1 mm
Цена по запросу
(от 244,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.12 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | CSD16325Q5 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSON-Clip-8 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Время нарастания | 16 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 159 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |