CSD16323Q3, MOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSF ET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997165
- Артикул
- CSD16323Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD16323Q3
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +10V, -8V
Цена по запросу
(от 139,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизкими добротностями и QD и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD16323Q3 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Fall Time: | 6.3 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 8 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Структура | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 24A, 8V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.3 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 12.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A(Ta), 60A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5 mOhms |