CSD16301Q2, 25V 5A 24mOhm@8V,4A 2.3W 1.55V@250uA N Channel WSON-6(2x2) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062096874
- Артикул
- CSD16301Q2
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 2 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET,N-канальный,25 В,5 А,SON-6; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:5 А; Напряжение источника стока Vds: 25 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,019 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:8 В; Пороговое напряжение Vgs:1,2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 2,3 Вт; Тип корпуса транзистора:SON; Количество контактов: 6; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (с 15 января 2019 г.); Текущий идентификатор Макс.: 5A; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Максимальное напряжение Vgs: 10 В
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 2 mm |
| Height | 0.75 mm |
| Length | 2 mm |
| Series | CSD16301Q2 |
| Fall Time | 1.7 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 4.4 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Unit Weight | 0.000307 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Package Type | WSON |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | WSON-FET-6 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.3 W |
| Power Dissipation (Pd) | 2.3W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.8nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.7 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4.1 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 340pF@12.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Id - Continuous Drain Current | 22 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 16.5 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.55V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V |