CSD13385F5T, MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997161
- Артикул
- CSD13385F5T
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 63
- Длина
- 1.53 mm
- Серия
- CSD13385F5
- Высота
- 0.35 mm
Цена по запросу
(от 183,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 63 |
| Длина | 1.53 mm |
| Серия | CSD13385F5 |
| Высота | 0.35 mm |
| Ширина | 0.77 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.1 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11.3 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |