Моя заявка (0)

CSD13383F4T, MOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

CSD13383F4T, MOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004997159
Артикул
CSD13383F4T
Бренд
Texas Instruments
Вес, г
984
Длина
1 mm
Серия
CSD13383F4
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 117,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 12V N-Channel FemtoFET МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г984
Длина1 mm
СерияCSD13383F4
Channel TypeN
Package TypePICOSTAR
Высота0.35 mm
Ширина0.64 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада315 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTexas Instruments
Упаковка / блокPICOSTAR-3
Maximum Drain Source Voltage12 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора2.6 nC
Время нарастания123 ns
Maximum Continuous Drain Current2.9 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW
Id - непрерывный ток утечки2.9 A
Коммерческое обозначениеFemtoFET
Размер фабричной упаковки250
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток44 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения96 ns
Типичное время задержки при включении39 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5.4 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация