CSD13381F4, PicoStar-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017605281
- Артикул
- CSD13381F4
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 0.64 mm
- Height
- 0.35 mm
Цена по запросу
(от 12,75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 12V N-CH Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 0.64 mm |
| Height | 0.35 mm |
| Length | 1 mm |
| Series | CSD13381F4 |
| Fall Time | 3.8 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Rise Time | 1.5 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | CSD13381F4 |
| Unit Weight | 0.000014 oz |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Высота | 0.35 mm |
| Ширина | 0.64 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Picostar-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.06 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 2.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel FemtoFET MOSFET |
| Forward Transconductance - Min | 3.2 S |
| Qg - заряд затвора | 1060 pC |
| Время нарастания | 1.5 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.1 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 650 mV |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180 mOhms |