CSD13380F3, Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002261472
- Артикул
- CSD13380F3
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 0.64 mm
- Brand:
- Texas Instruments
- Height
- 0.35 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 0.64 mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Height | 0.35 mm |
| Length | 0.73 mm |
| Series | CSD13380F3 |
| Series: | CSD13380F3 |
| Fall Time | 3 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 4 ns |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Picostar-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.2 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 4.3 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 76 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 550 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 550 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 9000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |