CSD13303W1015, MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997154
- Артикул
- CSD13303W1015
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.0017
- Длина
- 1.5 mm
- Серия
- CSD13303W1015
- Высота
- 0.625 mm
Цена по запросу
(от 68,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.0017 |
| Длина | 1.5 mm |
| Серия | CSD13303W1015 |
| Высота | 0.625 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.2 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-6 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3.9 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Крутизна характеристики, S | 14 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 850 mV |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 mOhms |