CSD13302W, 12V 1.6A 17.1mOhm@1A,4.5V null null BGA-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025946696
- Артикул
- CSD13302W
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- NexFETв„ў ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 38,53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CSD13302W 12 V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 4-DSBGA
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | CSD13302W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | CSD13302 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.1 mOhms |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 13302 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17.1мОм |