CSD13201W10, MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997151
- Артикул
- CSD13201W10
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.0011
- Длина
- 1 mm
- Серия
- CSD13201W10
- Высота
- 0.62 mm
Цена по запросу
(от 40,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.0011 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | CSD13201W10 |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9.7 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 2.3 nC |
| Время нарастания | 5.9 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 34 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 23 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |