CS5N65FA9R, 650V 5A 30W 2.8-@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015819881
- Артикул
- CS5N65FA9R
- Бренд
- China Resources Microelectronics Limited
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 2.82
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В, 5 А, 30 Вт 2.8Ohm@10V,2A 4 В при 250uA N-канальный TO-220F-3 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.82 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω@10V, 2A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8Ω@10V, 2A |