CRTD082NE6N, 65V 87A 99W 6.9m-@10V,40A 3V@250uA 225pF@32V N Channel 3275pF@32V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015845931
- Артикул
- CRTD082NE6N
- Бренд
- China Resources Microelectronics Limited
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.38
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 28,64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
65 В 87 А 99 Вт 6.9mOhm@10V,40A 3 В при 250 мкА N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 99W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.275nF@32V |
| Continuous Drain Current (Id) | 87A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 225pF@32V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 65 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 87 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 99 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.9mΩ@10V, 40A |