CRSM038N10N4, 100V 100A 139W 3m-@10V,50A 3V@250uA 40pF@50V N Channel 3162pF@50V 49.6nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015922214
- Артикул
- CRSM038N10N4
- Бренд
- China Resources Microelectronics Limited
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.19
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 106,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 100 А 139 Вт 3 моМ при 10 В, 50 А 3 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(5x6) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.19 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 139W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 49.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.162nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 40pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 139 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3mΩ@10V, 50A |