CRJD390N65GC, 650V 11A 0.39-@10V,5.5A 74W 4.5V@250uA 23pF@100V N Channel 770pF@100V 22nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015840044
- Артикул
- CRJD390N65GC
- Бренд
- China Resources Microelectronics Limited
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.48
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 62,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CRJD390N65GC, 650V 11A 74W N Channel TO-252-2 MOSFETs, Производител
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 74W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 770pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 23pF@100V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 390mΩ@10V, 5.5A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 390mΩ@10V, 5.5A |