CPH5524-TL-E, Bipolar Transistors - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368963
- Артикул
- CPH5524-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- NPN|PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 75,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN|PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.3 |
| Серия | CPH5524 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Active |
| Package Type | CPH |
| Configuration | Dual Common Emitter |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.6 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | CPH |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Maximum Operating Frequency | 390 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-5 |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V, 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100@NPN|50@PNP |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 380(Typ)@NPN|390(Typ)@PNP |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@2A |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.13@50mA@1A|0.24@100mA@2A@NPN|0.23@50mA@1A|0.65@100mA@2A@PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.24 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 380 MHz |