Моя заявка (0)

CMUDM8005 TR PBFREE, MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 650mA 300mW

CMUDM8005 TR PBFREE, MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 650mA 300mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005050098
Артикул
CMUDM8005 TR PBFREE
Бренд
Central Semiconductor Corp
Brand:
Central Semiconductor
Series:
CMxxDM
Tradename:
UltraMini
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 95,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы в режиме усиления P-канала МОП-транзисторы Central Semiconductor в режиме усиления P-канала обеспечивают низкое значение RS (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение. МОП-транзисторы CMUDM8004 и CMUDM8005 UltraMini™, устройства CMLDM8005 PICOmini™ и CMNDM8001 FEMTOmini™ предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CMUDM8004 / CMUDM8005 и CMNDM8001 изготовлены по теxнологии P-channel DMOS. Рассеиваемая мощность CMLDM8005 составляет 350 МВт.

Технические параметры

Brand:Central Semiconductor
Series:CMxxDM
Tradename:UltraMini
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Central Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-523
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.2 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:38 ns
Typical Turn-Off Delay Time:48 ns
Id - Continuous Drain Current:650 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:200 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.65
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6Ω@115mA, 10V