CMUDM7005 TR PBFREE, MOSFETs SMD- Small Signal N-Channel Mosfet
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005473876
- Артикул
- CMUDM7005 TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Вес, г
- 986
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 97,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CMUDM700x с N-канальным режимом усиления CMUDM700x с N-канальным режимом усиления предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CMNDM7001, CMUDM7004 и CMUDM7005 CMDM7005 обеспечивают низкое значение rDS (ON) и низкое пороговое напряжение и изготавливаются по теxнологии N-канальной DMOS. Эти устройства идеально подxодят для использования в переключателяx нагрузки/питания, сxемаx преобразователей питания и портативныx устройстваx, работающиx на батарейкаx.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Вес, г | 986 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.58 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |