CMUDM7004 TR PBFREE, MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 8.0Vgs 450mA 250mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004700500
- Артикул
- CMUDM7004 TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Series:
- CMxxDM
- Tradename:
- UltraMini
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 108 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа МОП-транзисторы Central Semiconductor CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкую частоту вращения (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Series: | CMxxDM |
| Tradename: | UltraMini |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 792 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 450 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 200 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@500mA, 10V |