CMS23N06H8-HF, MOSFETs MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018672244
- Артикул
- CMS23N06H8-HF
- Бренд
- Comchip Technology
- Brand:
- Comchip Technology
- Fall Time:
- 28 ns
- Rise Time:
- 62 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 246,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Comchip Technology |
| Fall Time: | 28 ns |
| Rise Time: | 62 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Comchip Technology |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PDFN5x6-8L |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 86 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |