Моя заявка (0)
CMRDM3575 TR PBFREE, MOSFETs 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005050060
Артикул
CMRDM3575 TR PBFREE
Бренд
Central Semiconductor Corp
Brand:
Central Semiconductor
Series:
CMxxDM
Tradename:
ATTOmini
Вес, г
0.27
Цена по запросу
(от 50,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа МОП-транзисторы Central Semiconductor CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкую частоту вращения (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение.

Технические параметры

Brand:Central Semiconductor
Series:CMxxDM
Tradename:ATTOmini
Вес, г0.27
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Central Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-963
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:458 pC, 500 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:125 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns, 35 ns
Typical Turn-Off Delay Time:85 ns, 100 ns
Id - Continuous Drain Current:160 mA, 140 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:1.3 S, 140 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms, 4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV, 1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:8000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В