CMPDM7002AHC TR PBFREE, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdg 20Vgs 350mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004700487
- Артикул
- CMPDM7002AHC TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Series:
- CMxxDM
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 68,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа МОП-транзисторы Central Semiconductor CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкую частоту вращения (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Series: | CMxxDM |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом |