CMLDM8005 TR PBFREE, MOSFETs SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005049908
- Артикул
- CMLDM8005 TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Series:
- CMxxDM
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 88,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы в режиме усиления P-канала МОП-транзисторы Central Semiconductor в режиме усиления P-канала обеспечивают низкое значение RS (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение. МОП-транзисторы CMUDM8004 и CMUDM8005 UltraMini™, устройства CMLDM8005 PICOmini™ и CMNDM8001 FEMTOmini™ предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CMUDM8004 / CMUDM8005 и CMNDM8001 изготовлены по теxнологии P-channel DMOS. Рассеиваемая мощность CMLDM8005 составляет 350 МВт.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Series: | CMxxDM |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 360 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |