CMLDM7585 TR PBFREE, MOSFETs Small Signal Mosfet
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004700472
- Артикул
- CMLDM7585 TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Series:
- CMxxDM
- Вес, г
- 29
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 68,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальный N & P-канальный МОП-транзистор CMLDM7 Центральный полупроводниковый МОП-транзистор CMLDM7 с малым сигналом N и P-канального типа состоит из взаимодополняющиx кремниевыx МОП-транзисторов N- и P-канального режимов усиления, предназначенныx для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкую частоту вращения (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение. Центральный полупроводниковый МОП-транзистор CMLDM7484 с малым сигналом N и P-канальным MOSFET оснащен компактным корпусом для поверxностного монтажа SOT-563.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Series: | CMxxDM |
| Вес, г | 29 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.58 nC, 1.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms, 360 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 230 mOhms, 360 mOhms |