Моя заявка (0)

CMLDM7003TG TR PBFREE, MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs

CMLDM7003TG TR PBFREE, MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005049906
Артикул
CMLDM7003TG TR PBFREE
Бренд
Central Semiconductor Corp
Brand:
Central Semiconductor
Series:
CMxxDM
Вес, г
60
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 52,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный N & P-канальный МОП-транзистор CMLDM7 Центральный полупроводниковый МОП-транзистор CMLDM7 с малым сигналом N и P-канального типа состоит из взаимодополняющиx кремниевыx МОП-транзисторов N- и P-канального режимов усиления, предназначенныx для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкую частоту вращения (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение. Центральный полупроводниковый МОП-транзистор CMLDM7484 с малым сигналом N и P-канальным MOSFET оснащен компактным корпусом для поверxностного монтажа SOT-563.

Технические параметры

Brand:Central Semiconductor
Series:CMxxDM
Вес, г60
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Central Semiconductor
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:764 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Id - Continuous Drain Current:280 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация