Моя заявка (0)
CMLDM7002AG TR PBFREE, SOT-563 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017680755
Артикул
CMLDM7002AG TR PBFREE
Бренд
Central Semiconductor Corp
Brand:
Central Semiconductor
Вес, г
0.03
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 32,32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В, 280 мА, 350 МВт, 2 ОМ при 500 мА, 10 В 2.5V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-563, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

Brand:Central Semiconductor
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Central Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-563-6
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:592 pC
Структураnpn
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-40 V, +40 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)180@2mA, 4.5V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:280 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:80 mS
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Rds On - Drain-Source Resistance:2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация