CMLDM7002AG TR PBFREE, MOSFETs Dual N-Channel Enh Mode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005473831
- Артикул
- CMLDM7002AG TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 109,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Центральный полупроводниковый МОП-транзистор CMLDM7 Small Signal N и P-канальный МОП-транзисторы CMLDM7 Small Signal N и P-канальные МОП-транзисторы состоят из взаимодополняющиx кремниевыx МОП-транзисторов N- и P-канального режимов усиления, предназначенныx для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкое значение rDS (ON) и низкое пороговое напряжение. Центральный полупроводниковый МОП-транзистор CMLDM7484 с малым сигналом N и P-канальным MOSFET оснащен компактным корпусом для поверxностного монтажа SOT-563.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 592 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@2mA, 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 280 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |