Моя заявка (0)

CMLDM3737 TR PBFREE, MOSFETs 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 540mA 350mW

CMLDM3737 TR PBFREE, MOSFETs 20V Dual N-Ch FET 8.0Vgs 540mA 350mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004612109
Артикул
CMLDM3737 TR PBFREE
Бренд
Central Semiconductor Corp
Brand:
Central Semiconductor
Series:
CMxxDM
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 54,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа МОП-транзисторы Central Semiconductor CxxDM с улучшенным режимом поверxностного монтажа предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкую частоту вращения (ВКЛ.) и низкое пороговое напряжение.

Технические параметры

Brand:Central Semiconductor
Series:CMxxDM
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Central Semiconductor
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.58 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:540 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Rds On - Drain-Source Resistance:550 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.54
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 Ом

Техническая документация