CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]
![CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]](https://static.epl-electro.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001265901
- Артикул
- CI30N120SM
- Бренд
- Guangzhou Tokmas Electronics Co., Ltd
- Вес, г
- 7.5
- Корпус
- TO-247-3
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 7
Цена по запросу
(от 1 044 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 7.5 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 7 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 Ом/20A, 20В |