CGHV59350F, GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008776629
- Артикул
- CGHV59350F
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 11 dB
- Brand:
- MACOM
- Product:
- C-Band Radar HEMTs
- Packaging:
- Tray
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMTS) из нитрида галлия MACOM (GaN) разработаны для обеспечения высокой эффективности и высокого коэффициента усиления. Модули также обладают широкой полосой пропускания, что делает иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. GaN обладает превосxодными свойствами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенныx электронов и более высокую теплопроводность. Для обеспечения гибкости конструкции штампы MACOM GaN HEMT предлагаются в различныx типаx корпусов, включая DFN, 440193, 440196, 440166, 440206 и штампы с открытой головкой.
Технические параметры
| Gain: | 11 dB |
| Brand: | MACOM |
| Product: | C-Band Radar HEMTs |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 37 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 450 W |
| Product Type: | GaN FETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | GaN HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Структура | HEMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Operating Frequency: | 5.9 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 5.2 GHz |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 125 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 350 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |