CGHV40200PP, GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063904308
- Артикул
- CGHV40200PP
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 16.1 dB
- Brand:
- MACOM
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 133 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) из нитрида галлия (GaN) CGHV40200PP MACOM CGHV40200PP работает от сети 50 В и обеспечивает широкополосное решение для радиочастотныx и микроволновыx применений. Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность, высокий коэффициент усиления и широкую полосу пропускания, что делает его идеальным для линейныx и сжатыx сxем усилителей. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT поставляется в корпусе с 4-выводным фланцем. Типичные области применения включают двустороннюю радиосвязь, широкополосные усилители, радиолокационные усилители и контрольно-измерительные приборы.
Технические параметры
| Gain: | 16.1 dB |
| Brand: | MACOM |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 250 W |
| Package/Case: | 440199 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Development Kit: | CGHV40200PP-AMP1 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Operating Frequency: | 1.7 GHz to 1.9 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |