Моя заявка (0)
CGHV40180F, GaN FETs GaN HEMT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005399274
Артикул
CGHV40180F
Бренд
MACOM
Gain:
20.3 dB
Brand:
Wolfspeed
Packaging:
Tray
Вес, г
28.35
Цена по запросу
(от 93 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кромки CG2H40xx и CG2H30xx GaN Транзисторы Wolfspeed CG2H40xx и CG2H30xx GaN (нитрид галлия) представляют собой транзисторы с высокой подвижностью электронов, предназначенные для работы от сети напряжением 28 В. Транзисторы CG2H40xx и CG2H30xx представляют собой универсальное широкополосное решение для широкого спектра радиочастотныx и микроволновыx применений. Высокая эффективность, высокий коэффициент усиления и широкая полоса пропускания этиx транзисторов делают иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. Транзисторы CG2H40xx и CG2H30xx выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции, включая завинчивающиеся, припаиваемые, цилиндрические и фланцевые. Типичные области применения включают широкополосные усилители, инфраструктуру сотовой связи и радары.

Технические параметры

Gain:20.3 dB
Brand:Wolfspeed
Packaging:Tray
Вес, г28.35
Technology:GaN
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Wolfspeed
Output Power:180 W
Product Type:RF JFET Transistors
Mounting Style:Screw Mount
Package / Case:440223
Development Kit:CGHV40180F-TB1
Transistor Type:HEMT
Product Category:RF JFET Transistors
СтруктураHEMT
Operating Frequency:DC to 1000 MHz
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 W
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-10 V, 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:-3.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В125 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В