CGHV38375F, GaN FETs Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018694514
- Артикул
- CGHV38375F
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 11 dB
- Brand:
- MACOM
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 267 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CGHV38375F 400 Вт IM GaN на SiC-транзисторе Wolfspeed CGHV38375F 400 Вт, 2,75-3,75 ГГц, с внутренним согласованием GaN на SiC-транзисторе (IM-FET) обеспечивает мощность 400 Вт, соответствующую 50 Ом, как на вxодном, так и на выxодном портаx. CGHV38375F работает в диапазоне от 2,75 до 3,75 ГГц, расширяя зону действия всего диапазона радаров S-диапазона.
Технические параметры
| Gain: | 11 dB |
| Brand: | MACOM |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 400 W |
| Package/Case: | 440226 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Особенности | свч усилительный 8ггц |
| Maximum Operating Frequency: | 3.75 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 2.75 GHz |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 125 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |