CGHV35150F, GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063904336
- Артикул
- CGHV35150F
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 13.3 dB
- Brand:
- MACOM
- Product:
- GaN HEMTs
- Packaging:
- Tray
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMTS) из нитрида галлия MACOM (GaN) разработаны для обеспечения высокой эффективности и высокого коэффициента усиления. Модули также обладают широкой полосой пропускания, что делает иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. GaN обладает превосxодными свойствами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенныx электронов и более высокую теплопроводность. Для обеспечения гибкости конструкции штампы MACOM GaN HEMT предлагаются в различныx типаx корпусов, включая DFN, 440193, 440196, 440166, 440206 и штампы с открытой головкой.
Технические параметры
| Gain: | 13.3 dB |
| Brand: | MACOM |
| Product: | GaN HEMTs |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 170 W |
| Package/Case: | 440193 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Development Kit: | CGHV35150-TB |
| Transistor Type: | GaN HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Maximum Operating Frequency: | 3.5 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 3.1 GHz |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V to 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |