CGHV31500F, GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018660356
- Артикул
- CGHV31500F
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 12.5 dB
- Brand:
- MACOM
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 297 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 12.5 dB |
| Brand: | MACOM |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 705 W |
| Package/Case: | 440217 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | GaN FETs |
| Структура | GaN HEMT |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Operating Frequency: | 3.1 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 2.7 GHz |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |