CGHV27015S, GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005399269
- Артикул
- CGHV27015S
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 21.2 dB
- Brand:
- MACOM
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN
Цена по запросу
(от 10 570 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 21.2 dB |
| Brand: | MACOM |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Application: | Telecom |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 15 W |
| Package/Case: | DFN-12 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Структура | HEMT |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Operating Frequency: | 2.7 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Maximum Drain Gate Voltage: | 50 V |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.78 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V, 2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |