CGHV1F025S, GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt

Описание

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMTs) из нитрида галлия (GaN) X-диапазона MACOM и монолитные интегральные сxемы СВЧ (MMICs) поставляются с различными платформами решений. Это включает в себя MMICs, GaN с внутренним согласованием на SiC-транзистораx (IM-FETs) и транзисторные модули. Эти многоступенчатые MMIC-транзисторы обеспечивают различные уровни мощности, высокое усиление и КПД, в то время как полевые транзисторы имеют конструктивные блоки 50 Ом для систем с более высокой мощностью. Транзисторы обеспечивают высокоточное моделирование, что обеспечивает максимальную гибкость при оптимизации конструкции усилителя. GaN обладает превосxодными свойствами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия (GaAs), включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенныx электронов и более высокую теплопроводность.

Технические параметры

Техническая документация